Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen
SCT2H12NYTB
| Hersteller: | ROHM Semiconductor |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt: | SCT2H12NYTB |
| Beschreibung: | 1700V 1.2 OHM 4A SIC FET |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | ROHM Semiconductor |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Verpackung | Digi-Reel® |
| Vgs (Max.) | +22V, -6V |
| Technologie | SiCFET (Silicon Carbide) |
| FET-Funktion | - |
| Teilstatus | Active |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 410µA |
| Betriebstemperatur | 175°C (TJ) |
| Rds On (Max) bei Id, Vgs | 1.5Ohm @ 1.1A, 18V |
| Verlustleistung (Max.) | 44W (Tc) |
| Lieferanten-Gerätepaket | TO-268 |
| Gate Charge (Qg) (Max.) | 14nC @ 18V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1700V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 184pF @ 800V |
| Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 4A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 18V |
Auf Lager 2167 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Minimale: 1
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