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SCT2120AFC

Hersteller: ROHM Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: SCT2120AFC
Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 29A TO-220AB
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ROHM Semiconductor
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) +22V, -6V
Technologie SiCFET (Silicon Carbide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 3.3mA
Betriebstemperatur 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 156mOhm @ 10A, 18V
Verlustleistung (Max.) 165W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket TO-220AB
Gate Charge (Qg) (Max.) 61nC @ 18V
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 1200pF @ 500V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 29A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 18V

Auf Lager 688 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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