SCT2080KEHRC11
Hersteller: | ROHM Semiconductor |
---|---|
Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | SCT2080KEHRC11 |
Beschreibung: | AUTOMOTIVE GRADE N-CHANNEL SIC P |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
---|---|
Hersteller | ROHM Semiconductor |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
FET-Typ | N-Channel |
Vgs (Max.) | +22V, -6V |
Technologie | SiCFET (Silicon Carbide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Active |
Montagetyp | Through Hole |
Paket / Fall | TO-247-3 |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 4.4mA |
Betriebstemperatur | 175°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 117mOhm @ 10A, 18V |
Verlustleistung (Max.) | - |
Lieferanten-Gerätepaket | TO-247N |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 106nC @ 18V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 2080pF @ 800V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 40A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 18V |
Auf Lager 50 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
---|---|---|---|
$31.65 | $31.02 | $30.40 |
Minimale: 1