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RW1E015RPT2R

Hersteller: ROHM Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: RW1E015RPT2R
Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 1.5A WEMT6
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ROHM Semiconductor
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ P-Channel
Verpackung Cut Tape (CT)
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Discontinued at Digi-Key
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall SOT-563, SOT-666
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 160mOhm @ 1.5A, 10V
Verlustleistung (Max.) 400mW (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket 6-WEMT
Gate Charge (Qg) (Max.) 6.5nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 230pF @ 10V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 1.5A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V

Auf Lager 6833 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.51 $0.50 $0.49
Minimale: 1

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