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RW1C015UNT2R

Hersteller: ROHM Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: RW1C015UNT2R
Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 1.5A WEMT6
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ROHM Semiconductor
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tape & Reel (TR)
Vgs (Max.) ±10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Not For New Designs
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall SOT-563, SOT-666
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 1mA
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 180mOhm @ 1.5A, 4.5V
Verlustleistung (Max.) 400mW (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket 6-WEMT
Gate Charge (Qg) (Max.) 1.8nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 110pF @ 10V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 1.5A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V

Auf Lager 99 pcs

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