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RW1A030APT2CR

Hersteller: ROHM Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: RW1A030APT2CR
Beschreibung: MOSFET P-CH 12V 3A WEMT6
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ROHM Semiconductor
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ P-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) -8V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Not For New Designs
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall SOT-563, SOT-666
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 1mA
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 42mOhm @ 3A, 4.5V
Verlustleistung (Max.) 700mW (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket 6-WEMT
Gate Charge (Qg) (Max.) 22nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 2700pF @ 6V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 3A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V

Auf Lager 12641 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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