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RUC002N05HZGT116

Hersteller: ROHM Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: RUC002N05HZGT116
Beschreibung: 1.2V DRIVE NCH MOSFET
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ROHM Semiconductor
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie Automotive, AEC-Q101
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±8V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 1mA
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Verlustleistung (Max.) 350mW (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket SST3
Drain to Source Voltage (Vdss) 50V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 25pF @ 10V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 200mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.2V, 4.5V

Auf Lager 5980 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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