Image is for reference only , details as Specifications

RSS105N03TB

Hersteller: ROHM Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: RSS105N03TB
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 10.5A 8-SOIC
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ROHM Semiconductor
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Cut Tape (CT)
Vgs (Max.) 20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 11.7mOhm @ 10.5A, 10V
Verlustleistung (Max.) 2W (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket 8-SOP
Gate Charge (Qg) (Max.) 15nC @ 5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 1130pF @ 10V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 10.5A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V

Auf Lager 53 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

TPCA8010-H(TE12L,Q
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
TPCA8009-H(TE12L,Q
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
TPCA8007-H(TE12L,Q
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
IRF6611TR1
Infineon Technologies
$0
IRF6610TR1
Infineon Technologies
$0