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RSH065N06GZETB

Hersteller: ROHM Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: RSH065N06GZETB
Beschreibung: 4V DRIVE NCH MOSFET. POWER MOSFE
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ROHM Semiconductor
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) 20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Betriebstemperatur 150°C
Rds On (Max) bei Id, Vgs 37mOhm @ 6.5A, 10V
Verlustleistung (Max.) 2W (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket 8-SOP
Gate Charge (Qg) (Max.) 16nC @ 5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 900pF @ 10V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 6.5A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V

Auf Lager 2500 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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