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RSD200N10TL

Hersteller: ROHM Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: RSD200N10TL
Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 20A CPT3
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ROHM Semiconductor
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 52mOhm @ 10A, 10V
Verlustleistung (Max.) 20W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket CPT3
Gate Charge (Qg) (Max.) 48.5nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 2200pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 20A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V

Auf Lager 72 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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