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RS1P600BETB1

Hersteller: ROHM Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: RS1P600BETB1
Beschreibung: RS1P600BE IS A POWER MOSFET WITH
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ROHM Semiconductor
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 500µA
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 9.7mOhm @ 17.5A, 10V
Verlustleistung (Max.) 3W (Ta), 35W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket 8-HSOP
Gate Charge (Qg) (Max.) 33nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 2200pF @ 50V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 17.5A (Ta), 60A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 53 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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