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RS1L120GNTB

Hersteller: ROHM Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: RS1L120GNTB
Beschreibung: RS1L120GN IS LOW ON - RESISTANCE
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ROHM Semiconductor
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 2.7V @ 200µA
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 12.7mOhm @ 12A, 10V
Verlustleistung (Max.) 3W (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket 8-HSOP
Gate Charge (Qg) (Max.) 26nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 1330pF @ 30V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 12A (Ta), 36A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Auf Lager 2440 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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