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RQ6E060ATTCR

Hersteller: ROHM Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: RQ6E060ATTCR
Beschreibung: RQ6E060AT IS LOW ON-RESISTANCE M
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ROHM Semiconductor
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ P-Channel
Verpackung Cut Tape (CT)
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 26.4mOhm @ 6A, 10V
Verlustleistung (Max.) 950mW (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket TSMT6 (SC-95)
Gate Charge (Qg) (Max.) 25.9nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 1200pF @ 15V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 6A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Auf Lager 79 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.67 $0.66 $0.64
Minimale: 1

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