RQ6E040XNTCR
Hersteller: | ROHM Semiconductor |
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Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | RQ6E040XNTCR |
Beschreibung: | RQ6E040XN IS THE LOW ON-RESISTAN |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | ROHM Semiconductor |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | - |
FET-Typ | N-Channel |
Verpackung | Cut Tape (CT) |
Vgs (Max.) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Active |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 50mOhm @ 4A, 10V |
Verlustleistung (Max.) | 950mW (Ta) |
Lieferanten-Gerätepaket | TSMT6 (SC-95) |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 3.3nC @ 5V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 180pF @ 10V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 4A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
Auf Lager 96 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.49 | $0.48 | $0.47 |
Minimale: 1