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RQ3L090GNTB

Hersteller: ROHM Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: RQ3L090GNTB
Beschreibung: NCH 60V 30A MIDDLE POWER MOSFET
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ROHM Semiconductor
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 2.7V @ 300µA
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 13.9mOhm @ 9A, 10V
Verlustleistung (Max.) 2W (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket 8-HSMT (3.2x3)
Gate Charge (Qg) (Max.) 24.5nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 1260pF @ 30V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 9A (Ta), 30A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Auf Lager 3000 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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