RQ3E180AJTB
Hersteller: | ROHM Semiconductor |
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Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | RQ3E180AJTB |
Beschreibung: | MOSFET N-CH 30V 18A HSMR8 |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | ROHM Semiconductor |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | - |
FET-Typ | N-Channel |
Verpackung | Digi-Reel® |
Vgs (Max.) | ±12V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Active |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | 8-PowerVDFN |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 11mA |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 4.5mOhm @ 18A, 4.5V |
Verlustleistung (Max.) | 2W (Ta), 30W (Tc) |
Lieferanten-Gerätepaket | 8-HSMT (3.2x3) |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 39nC @ 4.5V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 4290pF @ 15V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 18A (Ta), 30A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
Auf Lager 763 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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Minimale: 1