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RQ3E130MNTB1

Hersteller: ROHM Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: RQ3E130MNTB1
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 13A HSMT8
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ROHM Semiconductor
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Discontinued at Digi-Key
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 8.1mOhm @ 13A, 10V
Verlustleistung (Max.) 2W (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket 8-HSMT (3.2x3)
Gate Charge (Qg) (Max.) 14nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 840pF @ 15V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 13A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Auf Lager 65 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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