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RQ1E100XNTR

Hersteller: ROHM Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: RQ1E100XNTR
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 10A TSMT8
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ROHM Semiconductor
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tape & Reel (TR)
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-SMD, Flat Lead
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 10.5mOhm @ 10A, 10V
Verlustleistung (Max.) 550mW (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket TSMT8
Gate Charge (Qg) (Max.) 12.7nC @ 5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 1000pF @ 10V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 10A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V

Auf Lager 96 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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