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RQ1C065UNTR

Hersteller: ROHM Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: RQ1C065UNTR
Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 6.5A TSMT8
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ROHM Semiconductor
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-SMD, Flat Lead
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 1mA
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 22mOhm @ 6.5A, 4.5V
Verlustleistung (Max.) 700mW (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket TSMT8
Gate Charge (Qg) (Max.) 11nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 870pF @ 10V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 6.5A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V

Auf Lager 2459 pcs

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