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RJP020N06T100

Hersteller: ROHM Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: RJP020N06T100
Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 2A SOT-89
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ROHM Semiconductor
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±12V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Not For New Designs
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-243AA
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 1mA
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 240mOhm @ 2A, 4.5V
Verlustleistung (Max.) 500mW (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket MPT3
Gate Charge (Qg) (Max.) 10nC @ 4V
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 160pF @ 10V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 2A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V

Auf Lager 2072 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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