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RHU002N06FRAT106

Hersteller: ROHM Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: RHU002N06FRAT106
Beschreibung: 4V DRIVE NCH MOSFET (AEC-Q101 QU
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ROHM Semiconductor
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall SC-70, SOT-323
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 2.4Ohm @ 200mA, 10V
Verlustleistung (Max.) 200mW (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket UMT3
Gate Charge (Qg) (Max.) 4.4nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 15pF @ 10V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 200mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V

Auf Lager 3000 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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