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RGW60TS65DGC11

Hersteller: ROHM Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Single
Datenblatt: RGW60TS65DGC11
Beschreibung: 650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ROHM Semiconductor
Produktkategorie Transistors - IGBTs - Single
Serie -
IGBT-Typ Trench Field Stop
Eingabetyp Standard
Gate Charge 84nC
Teilstatus Active
Leistung - Max 178W
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-247-3
Testbedingung 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Schalten der Energie 480µJ (on), 490µJ (off)
TD (ein/aus) bei 25°C 37ns/114ns
Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ)
Lieferanten-Gerätepaket TO-247N
Vce(on) (Max) - Vge, Ic 1.9V @ 15V, 30A
Reverse Recovery Time (trr) 92ns
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 60A
Strom - Collector Pulsed (Icm) 120A
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 650V

Auf Lager 450 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$4.65 $4.56 $4.47
Minimale: 1

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