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RGTVX6TS65DGC11

Hersteller: ROHM Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Single
Datenblatt: RGTVX6TS65DGC11
Beschreibung: IGBT
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ROHM Semiconductor
Produktkategorie Transistors - IGBTs - Single
Serie -
IGBT-Typ Trench Field Stop
Eingabetyp Standard
Gate Charge 171nC
Teilstatus Active
Leistung - Max 404W
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-247-3
Testbedingung 400V, 80A, 10Ohm, 15V
Schalten der Energie 2.65mJ (on), 1.8mJ (off)
TD (ein/aus) bei 25°C 45ns/201ns
Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ)
Lieferanten-Gerätepaket TO-247N
Vce(on) (Max) - Vge, Ic 1.9V @ 15V, 80A
Reverse Recovery Time (trr) 109ns
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 144A
Strom - Collector Pulsed (Icm) 320A
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 650V

Auf Lager 86 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$7.38 $7.23 $7.09
Minimale: 1

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