Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen
RGTH00TS65DGC11
| Hersteller: | ROHM Semiconductor |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - IGBTs - Single |
| Datenblatt: | RGTH00TS65DGC11 |
| Beschreibung: | IGBT 650V 85A 277W TO-247N |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | ROHM Semiconductor |
| Produktkategorie | Transistors - IGBTs - Single |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Verpackung | Tube |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 94nC |
| Teilstatus | Active |
| Leistung - Max | 277W |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Testbedingung | 400V, 50A, 10Ohm, 15V |
| Schalten der Energie | - |
| TD (ein/aus) bei 25°C | 39ns/143ns |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Lieferanten-Gerätepaket | TO-247N |
| Vce(on) (Max) - Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 50A |
| Reverse Recovery Time (trr) | 54ns |
| Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 85A |
| Strom - Collector Pulsed (Icm) | 200A |
| Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) | 650V |
Auf Lager 9 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $4.58 | $4.49 | $4.40 |
Minimale: 1
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