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RGTH00TS65DGC11

Hersteller: ROHM Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Single
Datenblatt: RGTH00TS65DGC11
Beschreibung: IGBT 650V 85A 277W TO-247N
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ROHM Semiconductor
Produktkategorie Transistors - IGBTs - Single
Serie -
IGBT-Typ Trench Field Stop
Verpackung Tube
Eingabetyp Standard
Gate Charge 94nC
Teilstatus Active
Leistung - Max 277W
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-247-3
Testbedingung 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Schalten der Energie -
TD (ein/aus) bei 25°C 39ns/143ns
Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ)
Lieferanten-Gerätepaket TO-247N
Vce(on) (Max) - Vge, Ic 2.1V @ 15V, 50A
Reverse Recovery Time (trr) 54ns
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 85A
Strom - Collector Pulsed (Icm) 200A
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 650V

Auf Lager 9 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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