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RGT8TM65DGC9

Hersteller: ROHM Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Single
Datenblatt: RGT8TM65DGC9
Beschreibung: FIELD STOP TRENCH IGBT
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ROHM Semiconductor
Produktkategorie Transistors - IGBTs - Single
Serie -
IGBT-Typ Trench Field Stop
Eingabetyp Standard
Gate Charge 13.5nC
Teilstatus Active
Leistung - Max 16W
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-220-3 Full Pack
Testbedingung 400V, 4A, 50Ohm, 15V
Schalten der Energie -
TD (ein/aus) bei 25°C 17ns/69ns
Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ)
Lieferanten-Gerätepaket TO-220NFM
Vce(on) (Max) - Vge, Ic 2.1V @ 15V, 4A
Reverse Recovery Time (trr) 40ns
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 5A
Strom - Collector Pulsed (Icm) 12A
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 650V

Auf Lager 82 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$1.65 $1.62 $1.58
Minimale: 1

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