Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen
RGT8NS65DGC9
| Hersteller: | ROHM Semiconductor |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - IGBTs - Single |
| Datenblatt: | RGT8NS65DGC9 |
| Beschreibung: | IGBT |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | ROHM Semiconductor |
| Produktkategorie | Transistors - IGBTs - Single |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Verpackung | Tube |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 13.5nC |
| Teilstatus | Active |
| Leistung - Max | 65W |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Testbedingung | 400V, 4A, 50Ohm, 15V |
| Schalten der Energie | - |
| TD (ein/aus) bei 25°C | 17ns/69ns |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Lieferanten-Gerätepaket | TO-262 |
| Vce(on) (Max) - Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 4A |
| Reverse Recovery Time (trr) | 40ns |
| Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 8A |
| Strom - Collector Pulsed (Icm) | 12A |
| Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) | 650V |
Auf Lager 1000 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $1.73 | $1.70 | $1.66 |
Minimale: 1
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