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RGT30NS65DGTL

Hersteller: ROHM Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Single
Datenblatt: RGT30NS65DGTL
Beschreibung: IGBT 650V 30A 133W TO-263S
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ROHM Semiconductor
Produktkategorie Transistors - IGBTs - Single
Serie -
IGBT-Typ Trench Field Stop
Verpackung Digi-Reel®
Eingabetyp Standard
Gate Charge 32nC
Teilstatus Active
Leistung - Max 133W
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Testbedingung 400V, 15A, 10Ohm, 15V
Schalten der Energie -
TD (ein/aus) bei 25°C 18ns/64ns
Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ)
Lieferanten-Gerätepaket LPDS (TO-263S)
Vce(on) (Max) - Vge, Ic 2.1V @ 15V, 15A
Reverse Recovery Time (trr) 55ns
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 30A
Strom - Collector Pulsed (Icm) 45A
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 650V

Auf Lager 976 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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