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RF4E110BNTR

Hersteller: ROHM Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: RF4E110BNTR
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 11A 8-HUML
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ROHM Semiconductor
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-PowerUDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 11.1mOhm @ 11A, 10V
Verlustleistung (Max.) 2W (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket HUML2020L8
Gate Charge (Qg) (Max.) 24nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 1200pF @ 15V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 11A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Auf Lager 2759 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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