RF4E080BNTR
Hersteller: | ROHM Semiconductor |
---|---|
Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | RF4E080BNTR |
Beschreibung: | MOSFET N-CH 30V 8A 8-HUML |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
---|---|
Hersteller | ROHM Semiconductor |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | - |
FET-Typ | N-Channel |
Verpackung | Digi-Reel® |
Vgs (Max.) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Active |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | 8-PowerUDFN |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 17.6mOhm @ 8A, 10V |
Verlustleistung (Max.) | 2W (Ta) |
Lieferanten-Gerätepaket | HUML2020L8 |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 14.5nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 660pF @ 15V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 8A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Auf Lager 1783 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
---|---|---|---|
$0.00 | $0.00 | $0.00 |
Minimale: 1