RF4E070GNTR
Hersteller: | ROHM Semiconductor |
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Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | RF4E070GNTR |
Beschreibung: | MOSFET N-CH 30V 7A 8-HUML |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | ROHM Semiconductor |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | - |
FET-Typ | N-Channel |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Vgs (Max.) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Active |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | 8-PowerUDFN |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 21.4mOhm @ 7A, 10V |
Verlustleistung (Max.) | 2W (Ta) |
Lieferanten-Gerätepaket | HUML2020L8 |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 4.8nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 220pF @ 15V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 7A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Auf Lager 90 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.14 | $0.14 | $0.13 |
Minimale: 1