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RF4E060AJTCR

Hersteller: ROHM Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: RF4E060AJTCR
Beschreibung: RF4E060AJ IS LOW ON-RESISTANCE A
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ROHM Semiconductor
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±12V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-PowerUDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 1mA
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 37mOhm @ 6A, 4.5V
Verlustleistung (Max.) 2W (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket HUML2020L8
Gate Charge (Qg) (Max.) 4nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 450pF @ 15V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 6A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V

Auf Lager 3000 pcs

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