Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen

RDX100N60FU6

Hersteller: ROHM Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: RDX100N60FU6
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 10A TO-220FM
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ROHM Semiconductor
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Bulk
Vgs (Max.) ±30V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-220-3 Full Pack
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 650mOhm @ 5A, 10V
Verlustleistung (Max.) 45W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket TO-220FM
Gate Charge (Qg) (Max.) 45nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 1600pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 10A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 66 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

RDX080N50FU6
ROHM Semiconductor
$0
RDX060N60FU6
ROHM Semiconductor
$0
RSS070P05FU6TB
ROHM Semiconductor
$0
RSS070N05FU6TB
ROHM Semiconductor
$0
IRF7240PBF
Infineon Technologies
$0