RDD050N20TL
Hersteller: | ROHM Semiconductor |
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Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | RDD050N20TL |
Beschreibung: | MOSFET N-CH 200V 5A CPT3 |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | ROHM Semiconductor |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | - |
FET-Typ | N-Channel |
Verpackung | Digi-Reel® |
Vgs (Max.) | ±30V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Not For New Designs |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Betriebstemperatur | - |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 720mOhm @ 2.5A, 10V |
Verlustleistung (Max.) | 20W (Tc) |
Lieferanten-Gerätepaket | CPT3 |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 9.3nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 292pF @ 10V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 5A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Auf Lager 4368 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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Minimale: 1