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RCD075N19TL

Hersteller: ROHM Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: RCD075N19TL
Beschreibung: MOSFET N-CH 190V 7.5A CPT3
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ROHM Semiconductor
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Cut Tape (CT)
Vgs (Max.) ±30V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Not For New Designs
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 336mOhm @ 3.8A, 10V
Verlustleistung (Max.) 850mW (Ta), 20W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket CPT3
Gate Charge (Qg) (Max.) 30nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 190V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 1100pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 7.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V

Auf Lager 521 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.95 $0.93 $0.91
Minimale: 1

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