R6018ANJTL
Hersteller: | ROHM Semiconductor |
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Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | R6018ANJTL |
Beschreibung: | MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | ROHM Semiconductor |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | - |
FET-Typ | N-Channel |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Vgs (Max.) | ±30V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Not For New Designs |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1mA |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 270mOhm @ 9A, 10V |
Verlustleistung (Max.) | 100W (Tc) |
Lieferanten-Gerätepaket | LPTS |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 55nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 2050pF @ 25V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 18A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Auf Lager 89 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$2.90 | $2.84 | $2.79 |
Minimale: 1