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R6012JNJGTL

Hersteller: ROHM Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: R6012JNJGTL
Beschreibung: NCH 600V 12A POWER MOSFET; R6012
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ROHM Semiconductor
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±30V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs(th) (Max) @ Id 7V @ 2.5mA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 390mOhm @ 6A, 15V
Verlustleistung (Max.) 160W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket LPTS (D2PAK)
Gate Charge (Qg) (Max.) 28nC @ 15V
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 900pF @ 100V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 12A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 15V

Auf Lager 75 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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