R6010ANX
Hersteller: | ROHM Semiconductor |
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Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | R6010ANX |
Beschreibung: | MOSFET N-CH 600V 10A TO-220FM |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | ROHM Semiconductor |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | - |
FET-Typ | N-Channel |
Verpackung | Bulk |
Vgs (Max.) | ±30V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Not For New Designs |
Montagetyp | Through Hole |
Paket / Fall | TO-220-3 Full Pack |
Vgs(th) (Max) @ Id | - |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | - |
Verlustleistung (Max.) | 50W (Tc) |
Lieferanten-Gerätepaket | TO-220FM |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 10A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Auf Lager 515 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$3.15 | $3.09 | $3.03 |
Minimale: 1