Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen

R6009JNXC7G

Hersteller: ROHM Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: R6009JNXC7G
Beschreibung: R6009JNX IS A POWER MOSFET WITH
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ROHM Semiconductor
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±30V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-220-3 Full Pack
Vgs(th) (Max) @ Id 7V @ 1.38mA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 585mOhm @ 4.5A, 15V
Verlustleistung (Max.) 53W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket TO-220FM
Gate Charge (Qg) (Max.) 22nC @ 15V
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 645pF @ 100V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 9A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 15V

Auf Lager 2046 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$2.80 $2.74 $2.69
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

STU10NM60N
STMicroelectronics
$2.8
SUP50020E-GE3
Vishay / Siliconix
$2.79
SQV120N10-3M8_GE3
Vishay / Siliconix
$2.7
FQPF70N10
ON Semiconductor
$2.7
IPDD60R102G7XTMA1
Infineon Technologies
$0