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R6009JND3TL1

Hersteller: ROHM Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: R6009JND3TL1
Beschreibung: R6009JND3 IS A POWER MOSFET WITH
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ROHM Semiconductor
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±30V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) @ Id 7V @ 1.38mA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 585mOhm @ 4.5A, 15V
Verlustleistung (Max.) 125W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket TO-252
Gate Charge (Qg) (Max.) 22nC @ 15V
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 645pF @ 100V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 9A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 15V

Auf Lager 100 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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