Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen
R6009ENJTL
| Hersteller: | ROHM Semiconductor |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt: | R6009ENJTL |
| Beschreibung: | MOSFET N-CH 600V 9A LPT |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | ROHM Semiconductor |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Verpackung | Digi-Reel® |
| Vgs (Max.) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET-Funktion | - |
| Teilstatus | Active |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) bei Id, Vgs | 535mOhm @ 2.8A, 10V |
| Verlustleistung (Max.) | 40W (Tc) |
| Lieferanten-Gerätepaket | LPTS (D2PAK) |
| Gate Charge (Qg) (Max.) | 23nC @ 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 430pF @ 25V |
| Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 9A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Auf Lager 885 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Minimale: 1
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