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R6008FNJTL

Hersteller: ROHM Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: R6008FNJTL
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 8A LPTS
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ROHM Semiconductor
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Cut Tape (CT)
Vgs (Max.) ±30V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Discontinued at Digi-Key
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 950mOhm @ 4A, 10V
Verlustleistung (Max.) 50W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket LPTS
Gate Charge (Qg) (Max.) 20nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 580pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 8A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 754 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$3.58 $3.51 $3.44
Minimale: 1

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