Image is for reference only , details as Specifications

R6007JNJGTL

Hersteller: ROHM Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: R6007JNJGTL
Beschreibung: R6007JNJ IS A POWER MOSFET WITH
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ROHM Semiconductor
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±30V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs(th) (Max) @ Id 7V @ 1mA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 780mOhm @ 3.5A, 15V
Verlustleistung (Max.) 96W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket LPTS (D2PAK)
Gate Charge (Qg) (Max.) 17.5nC @ 15V
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 475pF @ 100V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 7A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 15V

Auf Lager 100 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

SQD10950E_GE3
Vishay / Siliconix
$1.14
STD100N10LF7AG
STMicroelectronics
$1.13
IPL60R285P7AUMA1
Infineon Technologies
$0
DMN90H8D5HCT
Diodes Incorporated
$1.12
SIDR402DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$0