Image is for reference only , details as Specifications

R6007JND3TL1

Hersteller: ROHM Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: R6007JND3TL1
Beschreibung: R6007JND3 IS A POWER MOSFET WITH
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ROHM Semiconductor
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±30V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) @ Id 7V @ 1mA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 780mOhm @ 3.5A, 15V
Verlustleistung (Max.) 96W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket TO-252
Gate Charge (Qg) (Max.) 17.5nC @ 15V
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 475pF @ 100V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 7A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 15V

Auf Lager 80 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

STP5NK52ZD
STMicroelectronics
$0.73
BSC061N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
$0
SIR608DP-T1-RE3
Vishay / Siliconix
$0
BSC022N04LS6ATMA1
Infineon Technologies
$0
SIR873DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$0