Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen
QS8J2TR
| Hersteller: | ROHM Semiconductor |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt: | QS8J2TR |
| Beschreibung: | MOSFET 2P-CH 12V 4A TSMT8 |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | ROHM Semiconductor |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Serie | - |
| FET-Typ | 2 P-Channel (Dual) |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| FET-Funktion | Logic Level Gate, 1.5V Drive |
| Teilstatus | Active |
| Leistung - Max | 550mW |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SMD, Flat Lead |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) bei Id, Vgs | 36mOhm @ 4A, 4.5V |
| Lieferanten-Gerätepaket | TSMT8 |
| Gate Charge (Qg) (Max.) | 20nC @ 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 1940pF @ 6V |
| Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 4A |
Auf Lager 73 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.35 | $0.34 | $0.34 |
Minimale: 1
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