Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen
MSM5117400F-60T3DR1
| Hersteller: | ROHM Semiconductor |
|---|---|
| Produktkategorie: | Memory |
| Datenblatt: | MSM5117400F-60T3DR1 |
| Beschreibung: | IC DRAM 16M PARALLEL |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | ROHM Semiconductor |
| Produktkategorie | Memory |
| Serie | - |
| Verpackung | - |
| Technologie | DRAM |
| Zugriffszeit | 30ns |
| Speichergröße | 16Mb (4M x 4) |
| Speichertyp | Volatile |
| Teilstatus | Obsolete |
| Speicherformat | DRAM |
| Montagetyp | - |
| Paket / Fall | - |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Spannung - Versorgung | 4.5V ~ 5.5V |
| Betriebstemperatur | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Lieferanten-Gerätepaket | - |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 110ns |
Auf Lager 93 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Minimale: 1
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