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MSM5117400F-60T3DR1

Hersteller: ROHM Semiconductor
Produktkategorie: Memory
Datenblatt: MSM5117400F-60T3DR1
Beschreibung: IC DRAM 16M PARALLEL
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ROHM Semiconductor
Produktkategorie Memory
Serie -
Verpackung -
Technologie DRAM
Zugriffszeit 30ns
Speichergröße 16Mb (4M x 4)
Speichertyp Volatile
Teilstatus Obsolete
Speicherformat DRAM
Montagetyp -
Paket / Fall -
Speicherschnittstelle Parallel
Spannung - Versorgung 4.5V ~ 5.5V
Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA)
Lieferanten-Gerätepaket -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite 110ns

Auf Lager 93 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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