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IMT4T108

Hersteller: ROHM Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
Datenblatt: IMT4T108
Beschreibung: TRANS 2PNP 120V 0.05A 6SMT
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ROHM Semiconductor
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
Serie -
Verpackung Digi-Reel®
Teilstatus Not For New Designs
Leistung - Max 300mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall SC-74, SOT-457
Transistortyp 2 PNP (Dual)
Basis-Teilenummer MT4
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Frequenz - Übergang 140MHz
Lieferanten-Gerätepaket SMT6
Vce Sättigung (Max.) 500mV @ 1mA, 10mA
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 50mA
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 180 @ 2mA, 6V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 120V

Auf Lager 7401 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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