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IMH23T110

Hersteller: ROHM Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Datenblatt: IMH23T110
Beschreibung: TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ROHM Semiconductor
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Serie -
Verpackung Digi-Reel®
Teilstatus Active
Leistung - Max 300mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall SC-74, SOT-457
Transistortyp 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Basis-Teilenummer *MH23
Widerstand - Basis (R1) 4.7kOhms
Frequenz - Übergang 150MHz
Lieferanten-Gerätepaket SMT6
Widerstand - Emitter-Basis (R2) -
Vce Sättigung (Max.) 150mV @ 2.5mA, 50mA
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 600mA
Strom - Collector Cutoff (Max) -
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 820 @ 50mA, 5V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 20V

Auf Lager 2817 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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