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HP8S36TB

Hersteller: ROHM Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt: HP8S36TB
Beschreibung: 30V NCH+NCH MIDDLE POWER MOSFET,
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ROHM Semiconductor
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie -
FET-Typ 2 N-Channel (Half Bridge)
Verpackung Digi-Reel®
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Leistung - Max 29W
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 2.4mOhm @ 32A, 10V
Lieferanten-Gerätepaket 8-HSOP
Gate Charge (Qg) (Max.) 47nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 6100pF @ 15V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 27A, 80A

Auf Lager 2456 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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