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EMZ51T2R

Hersteller: ROHM Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
Datenblatt: EMZ51T2R
Beschreibung: TRANS NPN/PNP 20V 0.2A EMT6
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ROHM Semiconductor
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
Serie -
Verpackung Digi-Reel®
Teilstatus Active
Leistung - Max 150mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall SOT-563, SOT-666
Transistortyp NPN, PNP
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Frequenz - Übergang 400MHz, 350MHz
Lieferanten-Gerätepaket EMT6
Vce Sättigung (Max.) 300mV @ 10mA, 100mA
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 200mA
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 120 @ 1mA, 6V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 20V

Auf Lager 7780 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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