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EMD29T2R

Hersteller: ROHM Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Datenblatt: EMD29T2R
Beschreibung: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.12W EMT6
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ROHM Semiconductor
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Serie -
Verpackung Digi-Reel®
Teilstatus Active
Leistung - Max 120mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall SOT-563, SOT-666
Transistortyp 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Basis-Teilenummer *MD29
Widerstand - Basis (R1) 1kOhms, 10kOhms
Frequenz - Übergang 250MHz, 260MHz
Lieferanten-Gerätepaket EMT6
Widerstand - Emitter-Basis (R2) 10kOhms
Vce Sättigung (Max.) 300mV @ 500µA, 10mA / 300mV @ 5mA, 100mA
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 100mA, 500mA
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 30 @ 5mA, 5V / 140 @ 100mA, 2V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 50V, 12V

Auf Lager 3728 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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